拓扑半金属能应用在芯片领域，被誉为最有可能成为下一代芯片原材料，一直被学术圈鼓吹。
身为拓扑半金属领域的专家，从了解这一领域到现在从事该领域的研究工作，赖佳晨数了数大致有十个年头，这十年里，他没少听到类似言论。
但梦想很美好，现实很残酷，研究人员一直到今年才搞出拓扑半金属的薄膜，从实验室到工业化，不知道还要多少年。
因此在他看来，这玩意应用在芯片领域，多少和可控核聚变一样，二十年前说还要五十年，二十年后还是说需要五十年。
中间不知道有多少坑等着人们去踩呢。
而现在他看到的事实是，拓扑半金属应用在芯片领域最大的问题解决了，光敏感性和稳定性之间的矛盾，这个问题解决意味着原本它的进度是不可预测的，你没办法估算要多久能做出来。
而现在制定计划表都行，按照计划表都能把它给整出来。
赖佳晨从对方口里得到了他想要的答案后，内心感慨道：人和人果然是不一样的，对于外界来说难以解决的问题，对天才来说不过是随手可得。
常温超导发现后，陈元光接受完央妈专访后就神隐了，之前虽说抛头露面也不多，但是多少还是会参加一些活动。
而这次包括光甲科技的人体冬眠中心开幕，常温超导体对外开放，光甲航天新型可回收火箭发射，华国复眼竣工验收等等一系列的重要节点，陈元光一次都没出席。
外网说陈元光被软禁起来了，国内则是结合约瑟夫被刺杀，说他被保护起来。
赖佳晨作为申海交大教授，有自己的消息来源，他知道陈元光这段时间一直待在华国西部，只是不知道是蜀都还是哪。
这次在看到拓扑半金属之后，他的第一反应就是，这玩意除了陈元光之外没人能搞出来，他问过之后，对方一直闭口不谈。
现在猜想证实后，赖佳晨连酸的心态都没有，大家不是一个世界的人，压根酸不起来。
他联想起自己前不久看到的一篇bbc报道，里面把陈元光誉为华国和阿美利肯两级之间的最大x因素。
他当时觉得这个说法夸张了，现在觉得这说法还是有点保守了。
“所以说，拓扑半金属当作原材料能让芯片有更强的算力？”在和赵普见完后，林甲问，她还是不太懂。
陈元光解释道：“原本我们把芯片的面积固定，比如说是一平方厘米，然后我们要在这一平方厘米的面积上放尽可能多的晶体管，7nm是指晶体管的大小是7nm，而不是指芯片的大小。
晶体管越小，同等面积下芯片的晶体管数量也就越多，芯片算力和晶体管数量挂钩。
而现在我们用新材料作为芯片的原材料，我们不用拘泥于一平方厘米，我们可以在4平方厘米，甚至16平方厘米的面积上去放晶体管，我们虽说单个晶体管的体积更大，但是我们能放晶体管的面积也更大了。
也就是说我们用28制程制作出来的芯片，晶体管数量和5nm制程制作出来的芯片数据一样，因为我们的基底更大了。
原本华国的思路是去追赶国外的技术，别人在3nm，我们现在连28nm都还没搞定，差距非常大，但是因为3nm可以说是工艺极限了。
因为硅基材料的晶格结构和物理特性限制了芯片制程的进一步缩小，硅基材料在3nm几乎已经达到了极限，现在3nm都难以保证良品率。
在这个制程上，三星已经掉队，唯一还能维持良品率的是台积电。
如果继续沿着光刻机去追赶，需要整个上下游供应商的共同进步，这太难了。
而我们直接上新材料，可以在现有技术上，实现同等的算力。
&nbsml的7nm光刻机改造，用拓扑半金属制造硅片的话，芯片的算力能比3nm表现更好，无限逼近1nm。
这就意味着他们的策略彻底失败，我们的芯片算力比他们还更先进，那是谁卡谁脖子呢？
而你把3nm工艺给我们用，我们一起突破现在的桎梏，把芯片给它拉满，或者大家一起卡在1nm。
这是一件合则两利的事情。”
陈元光接着说：“之前在常温超导体的制备过程中无疑间发现了这种全新的拓扑半金属，只是我一直没有想明白，怎么去设计偏振光去做刻制芯片的那一步。
在绵阳的这段时间里，我终于想清楚了这个问题。”
自始至终
